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中芯国际集成电路制造有限公司
Semiconductor Manufacturing International Corporation
Smic inc logo.png
中芯国际标志
公司类型 上市公司
股票代号 港交所：981
上交所：688981
成立 2000年4月3日
开曼群岛
创办人 张汝京
代表人物 周子学（董事长）
梁孟松（联合首席执行官）
赵海军（联合首席执行官）
总部 中华人民共和国
上海市浦东新区张江路18号
业务范围 世界
产业 电子、半导体
产品 晶圆代工
营业额 ▲ 29.1418亿美元（2016）
息税前利润 ▲ 3.32919亿美元（2016）
净利润 ▲ 3.16434亿美元（2016）
总资产 ▲ 101.15278亿美元（2016）
资产净值 ▲ 54.03227亿美元（2016）
员工人数 17,967（2016年12月31日）
网站 www .smics .com
中芯国际集成电路制造有限公司（简称中芯国际，港交所：981 , 上交所：688981 )于2000年4月在开曼群岛注册成立，总部位于中国上海。中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。截至2020年6月1日，中芯国际向全球客户提供0.35微米到14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务，具备逻辑电路、电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合讯号/射频、图像传感器等多个技术平台的量产能力。
中芯国际在中国上海、北京、天津和深圳拥有多个8英寸和12英寸生产基地，截至2019年末，上述生产基地的产能合计达每月45万片晶圆（约当8英寸）。除中国大陆外，中芯国际亦在美国、欧洲、日本和台湾设立了市场推广办公室，在香港设立了代表处，为全球客户提供优质的服务。
公司的创立者之一为曾在台积电任职过的张汝京，目前公司联合首席执行官为曾任职过三星与台积电的梁孟松、赵海军。
历史
奠基时期（2000年-2004年）
2000年，中芯国际在上海浦东开工建设，是中国大陆第一家提供0.18微米技术节点的集成电路晶圆代工企业。
2001年，中芯国际建设完成上海8英寸生产基地。
2002年，中芯国际实现0.18微米的全面技术认证和量产。同年，中芯国际北京12英寸生产基地举行奠基仪式。
2003年，中芯国际收购天津摩托罗拉晶圆厂并成立中芯天津。中芯国际陆续实现0.35微米~0.13微米的全面技术认证和量产，标志着中芯国际集成电路晶圆代工技术完成初步积累。
2004年，中芯国际首次实现盈利并于香港交易所与纽约证券交易所上市。
积累时期（2004年-2015年）
2004年起，公司北京12英寸生产基地逐步投入生产。12英寸集成电路晶圆代工业务的成功落地是公司发展过程中的重要里程碑，标志着公司成为8英寸和12英寸集成电路晶圆代工业务兼备的企业。
2005年，公司年度营业收入首次突破10亿美元，并分别在2006年、2009年、2011年顺利实现90纳米、65/55纳米、45/40纳米的升级和量产，技术服务能力实现跨越式提升。
2013年，公司年度营业收入首次突破20亿美元。
2014年6月，中芯国际与长电科技于江阴高新技术产业开发区合资成立凸块加工与封测厂。
2014年12月，获300亿人民币产业基金支持。12月底深圳晶圆厂房正式投产。[1]同月与高通共同宣布高通采用28nm制程的骁龙410于中芯国际代工，同时高通也透露如果条件允许，其它入门型号的SoC也会交给SMIC代工制造，以便进一步降低制造成本。
高速发展时期（2015年至今）
2015年，公司成为中国大陆第一家实现28纳米量产的企业，实现中国大陆高端芯片零生产的突破，公司进入战略调整后的高速发展时期，并分别在上海、北京、天津和深圳启动生产基地的新建和扩建。
2017年，公司年度营业收入首次突破30亿美元。
2019年，公司取得重大进展，实现14纳米FinFET量产，第二代FinFET技术进入客户导入阶段。
2019年5月宣布从纽约证券交易所退市，2020年7月在上海证券交易所科创板挂牌上市。
市场地位
根据IC Insights公布的2018年纯晶圆代工行业全球市场销售额排名，中芯国际占全球纯晶圆代工市场份额的6%，位居全球第四位。前十名分别为台积电、格罗方德、联华电子、中芯国际、力晶科技、华虹集团、高塔半导体、世界先进、东部半导体、X-Fab。
逻辑工艺技术平台
在逻辑电路制造领域，中芯国际成功开发了0.35/0.25微米、0.18/0.15微米、0.13/0.11微米、90纳米、65/55纳米、45/40纳米、28纳米及14纳米等多种技术节点，是中国大陆技术最先进、覆盖技术节点最广的晶圆代工企业之一。
在先进逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家提供国际领先的14纳米技术节点的晶圆代工企业。目前，公司第一代14纳米FinFET技术已进入量产阶段，第二代FinFET技术已进入客户导入阶段。利用公司先进FinFET技术在晶圆上所制成的芯片已被广泛地应用于智能手机、平板计算机、机顶盒等领域。
在成熟逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家提供0.18/0.15微米、0.13/0.11微米、90纳米、65/55纳米、45/40纳米和28纳米技术节点的晶圆代工企业。目前，中芯国际的28纳米工艺是业界主流技术，包含传统的多晶硅和后栅极的高介电常数金属栅极制程；公司的45/40纳米、65/55纳米和90纳米工艺实现了高性能和低功耗的融合；中芯国际的0.13/0.11微米和0.18/0.15微米工艺分别实现了全铜制程和铝制程，在满足高性能的同时有效控制成本。中芯国际利用成熟逻辑工艺技术平台所制成的芯片产品已被广泛地应用于处理器、移动基带、无线互联芯片、数字电视、机顶盒、智能卡、消费性产品等诸多领域。
特色工艺技术平台
除逻辑电路制造外，中芯国际成功开发了电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多种特色工艺平台，均已达到了行业先进的技术水平。
其中，电源/模拟技术基于现有的低功耗逻辑工艺平台可提供模块架构，为模拟和电源应用提供优越的性能；高压驱动技术平台涵盖0.15微米、55纳米、40纳米等技术节点，提供了中压和高压器件，优化高压显示驱动芯片SRAM单元；
嵌入式非挥发性存储技术平台涵盖0.35微米至40纳米技术节点，具有低功耗、耐久性突出的特点；
非易失性存储技术平台涵盖24纳米、38纳米以及65纳米至0.18微米技术节点。
中芯国际利用特色工艺技术平台所制成的芯片产品已被广泛地应用于电源管理、汽车和工业、通信和消费电子等诸多领域。
配套服务
设计服务及IP支持
中芯国际拥有超过200人的专业设计服务团队，其通过与技术研发团队合作，提供与集成电路晶圆代工业务配套的设计服务和IP支持。目前，公司具有中国大陆最先进的FinFET工艺下的基础IP开发和芯片定制能力，可为客户提供多种IP模块，具体如下：①全系列标准单元库，适用于高性能、消费类、低功耗和特定功能的各种芯片设计；②通用型、振荡器和定制类等多种输入/输出端口IP，以及相应的ESD合规检查服务；③从高速系列到高密度系列，从高速到低电压应用的静态随机存储编译器；④模数转换、数模转换、锁相回路、温度电压传感器、电子熔丝等模拟IP，可覆盖从高性能高精度到低功耗小面积的多种应用。
此外，中芯国际基于领先的EDA平台所研发的参考设计流程可服务于0.13/0.11微米、65/55纳米、45/40纳米、28纳米及14纳米等多种技术节点的芯片设计。同时，公司提供高性价比的后端版图和布局布线服务,帮助客户加
快产品设计与量产导入。
光掩模制造
中芯国际拥有中国大陆最大及最先进的光掩模制造设施和最专业的光掩模制造工艺研发团队，能够为14纳米量产及更先进技术节点研发提供光掩模产品。公司的光掩模制造所涉及的核心工艺包括前道的版图数据处理、电子束描画、显影刻蚀与后道的缺陷检查和控制，均由中芯国际团队开发完成并拥有自主知识产权，其产品线可覆盖公司所有的集成电路晶圆代工工艺。
目前，中芯国际是中国大陆唯一具备FinFET光掩模量产能力的企业，其14纳米光掩模已稳定量产，在性能、质量、良率和交货周期等方面均达业界领先水平。
凸块加工及测试
中芯长电是中国大陆第一家能够提供在28纳米至14纳米工艺制造的集成电路晶圆上进行中段凸块加工的厂商，所封测的集成电路产品涉及领域广泛，包括移动通讯、消费电子、存储器、电源管理等。
生产基地
目前中芯国际在中国大陆有4个主要制造厂区、两座合资厂区以及一座海外厂区。
上海厂区：总部所在地，位于上海张江高科技园区，由两座工厂组成，一座是提供0.35微米~90奈米制程的200毫米晶圆厂，另一座是提供45/40奈米制程~28奈米制程的300毫米晶圆厂；
北京厂区：位于北京经济技术开发区，由两座300毫米晶圆厂组成，提供130奈米~28奈米制程；
天津厂区：位于天津西青经济开发区，是一座提供0.35微米~90奈米制程的200毫米晶圆厂；
深圳厂区：位于深圳坪山区，目前有一座提供0.35微米~90奈米制程的200毫米晶圆厂，目前仍在建造新厂房中；
LFoundry厂区：位于意大利阿韦扎诺，目前是一座200毫米晶圆厂，经由收购LFoundry获得。
除了以上制造厂区以外，另外两座合资厂区负责制作晶圆生产使用的物料，一座是与日本凸版印刷合资成立的TSES（Toppan SMIC Electronics (Shanghai) Co., Ltd.），一座是与国家集成电路产业投资基金、长电科技以及高通多方合资成立的中芯长电半导体公司。
此外，中芯国际曾经在成都建有封装测试厂以及有一座代为经营管理的八吋芯片厂（现已转售给德州仪器公司），在武汉曾经代为经营管理的先进的12吋memory芯片厂（即是目前受各界关注的武汉新芯集成电路，XMC，由中芯国际前CTO杨士宁任CEO）。2007年12月26日，与IBM签订45纳米大批量CMOS技术授权合约。
与台积电的诉讼案
中芯国际成立后不久就遇上了来自台积电的法律指控，指中芯国际的张汝京团队窃取了台积电的智慧财产。第一轮诉讼阶段于2005年以中芯国际赔付一亿七千五百万美元予台积电完结。2006年开启了第二轮诉讼阶段，2009年9月9日在美国加利福尼亚州奥克兰开庭， 2009年11月4日陪审团最终认为中芯国际应对65个法律指控中的61个负法律责任。不过该轮诉讼判决仍未裁定，最终中芯国际与台积电于2009年11月9日达成和解协议。
双方和解的主要条款包括：双方宣布并赔付关于双方的待决诉讼的索赔、终止此前中芯国际根据第一轮诉讼和解协议支付剩余款项的义务（约四千万美元）、中芯国际向台积电支付总额为两亿美元的赔款、中芯国际向台积电授予约8%的中芯国际已发行股本及授权书而令台积电拥有中芯国际约10%的所有权。
2010年底，与台积电为长达八年的商业机密剽窃案达成和解协议，中芯除了赔偿台积电两亿美元，更将无偿授予台积电8％中芯股权，台积电可在三年内以每股1.3元港币认购2％的中芯股权。
资本市场
2004年在香港联交所和纽交所上市
2004年1月28日，中芯国际董事会审议并通过了中芯国际公开发行股份并上市的议案。2004年2月16日，中芯国际股东特别大会审议并通过了中芯国际公开发行股份并上市的议案。
2004年3月5日，中芯国际与Credit Suisse First Boston（Hong Kong）Limited和Deutsche Bank AG, Hong Kong Branch签订承销协议，拟全球发售5,151,515,000股普通股。
2004年3月18日，中芯国际的普通股在香港联交所上市，招股定价为每股2.69港元。[10]，股票代码：981；证券简称：中芯国际。中芯国际的美国预托证券股份于纽交所上市，股票代码：SMI。本次拟全球发售5,151,515,000股普通股，包括中芯国际股东公开发售和新增发售，其中股东公开发售2,121,212,000股普通股，新增发售3,030,303,000股普通股。
2016年12月7日，经中芯国际前一日股东大会投票表决，中芯国际（代码0981）已发行普通股于今日每10股合并为1股。12月21日开始(含当日)，合并后的新股将可用股票代码0981进行交易。
2019年从纽交所退市
2019年2月14日，中芯国际董事会通过决议，授权中芯国际在合适的时机取消美国预托证券股份在美国证交会的注册，并根据《1934年证券交易法》（经修订）终止中芯国际向美国证交会的报告义务。
2019年5月24日，中芯国际发出《关于拟将美国预托证券股份从纽约证券交易所退市和撤销根据美国证券交易法之注册及终止申报责任之公告》，中芯国际通知纽交所，根据《1934年证券交易法》（经修订）申请自愿将其美国预托证券股份从纽交所退市，并撤销该等美国预托证券股份和相关普通股的注册。
2019年6月3日，中芯国际向美国证交会申请美国预托证券股份从纽交所退市。2019年6月14日，中芯国际的预托证券股份从纽交所退市并进入美国场外交易市场交易，中芯国际向美国证交会申请撤销注册及终止其在美国证券交易法下的申报责任。截至2020年6月1日，中芯国际的美国预托证券股份注册已成功撤销并终止在美国证券交易法下的申报责任。
董事会
目前中芯国际董事分别为董事长兼执行董事张文义、CEO兼执行董事邱慈云、本公司非执行董事陈山枝、高永岗、刘遵义及周杰，以及本公司独立非执行董事川西刚及陈立武。自2016年12月20日起委任前台积电前共同执行长蒋尚义为公司的第三类独立非执行董事。
2009年11月10日，中芯国际CEO张汝京突然因“个人理由”宣布辞职，同时委任曾经在另一个中国芯片制造商华虹担任过高管的王宁国为董事会执行董事、集团总裁兼首席执行官，公司正式进入了“后张汝京时代”。
2010年度，中芯国际开始转亏为盈。
2011年6月27日，中芯国际前任董事长江上舟因肺癌复发逝世。
2011年7月15日，中芯国际发布公告称，王宁国已辞任公司CEO职务，董事会委任执行董事张文义为公司董事长，并暂时署理公司CEO。
2011年8月5日，中芯国际发布公告称，已委任前华虹NEC首席执行官邱慈云为公司CEO兼执行董事，这也意味着纷纷扬扬的中芯国际控制权争夺告一段落。
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